| 发明名称 | 混合CZTSSe 光伏器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及混合CZTSSe光伏器件。一种包括第一接触和混合吸收体层的光伏器件。所述混合吸收体层包括硫属化物层和与所述硫属化物层接触的半导体层。在所述吸收体层上形成缓冲层，以及在所述缓冲层上形成透明导电接触层。 | ||
| 申请公布号 | CN104253172A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201410277666.1 | 申请日期 | 2014.06.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | T·格克曼;O·古纳万;R·A·海特;金志焕;D·B·米茨;M·T·温克勒 |
| 分类号 | H01L31/06(2012.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/06(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 牛南辉;于静 |
| 主权项 | 一种光伏器件，所述器件包括：第一接触；混合吸收体层，包括：硫属化物层；以及与所述硫属化物接触的半导体层；在所述吸收体层上形成的缓冲层；以及在所述缓冲层上形成的透明导电接触层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||