| 发明名称 | 氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体元件包括：层叠体；以及功能层。所述层叠体包括第一GaN层、第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一凸起。所述第一层设于第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种。第二GaN层设于所述第一层上并且包括第二凸起。所述第二凸起的底部的长度小于所述第一凸起的底部的长度。功能层设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。 | ||
| 申请公布号 | CN104253180A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201410301753.6 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 彦坂年辉;吉田学史;名古肇;杉山直治;布上真也 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 牛南辉;杨晓光 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体元件，包括：层叠体，其包括：包括第一凸起的第一GaN层、设于所述第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种的第一层、以及设于所述第一层上并且包括第二凸起的第二GaN层，所述第二凸起的底部的长度短于所述第一凸起的底部的长度；以及功能层，其设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||