一种图像传感器制备工艺

摘要

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种图像传感器制备工艺，包括如下步骤：步骤S1、提供一半导体结构，所述半导体结构的顶部设置有沟槽，所述沟槽中形成有引线，所述半导体结构顶部和所述沟槽暴露的表面覆盖有第一介电层；步骤S2：沉积第二介电层覆盖在所述第一介电层和所述引线的上表面并将所述沟槽进行填充；步骤S3：进行一反刻蚀的工艺，以降低所述第二介电层的厚度，并在沟槽上方的第二介电层表面形成凸状结构；步骤S4：对所述第二介电层进行平坦化处理，藉由所述凸状结构来提高所述第二介电层的研磨后的表面平整度。

主权项

一种图像传感器制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一半导体结构，所述半导体结构的顶部设置有沟槽，所述沟槽中形成有引线，所述半导体结构顶部和所述沟槽暴露的表面覆盖有第一介电层；步骤S2：沉积第二介电层覆盖在所述第一介电层和所述引线的上表面并将所述沟槽进行填充；步骤S3：进行一反刻蚀的工艺，以降低所述第二介电层的厚度，并在沟槽上方的第二介电层表面形成凸状结构；步骤S4：对所述第二介电层进行平坦化处理，藉由所述凸状结构来提高所述第二介电层的研磨后的表面平整度。