| 发明名称 | 用于半导体封装的多层基底 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体基底(105、105a)，其包括形成在牺牲性载体(110)上的两层或多层堆积的结构层(120、220)。每个堆积的结构层包括导体迹线层(114a)和互连层(118a、218a)，结构层模制在树脂模塑料内。该模塑料的顶表面被研磨，然后，由粘合层(123、124、224)沉积。然后在最外面的导体迹线层(128a、228a)形成在粘合层上且载体(110)或加强环(110b)被移去之后，可以获得多层基底(105、105a)。 | ||
| 申请公布号 | CN104254917A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201380021583.X | 申请日期 | 2013.03.26 |
| 申请人 | 先进封装技术私人有限公司 | 发明人 | 林少雄;周辉星 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 浦易文 |
| 主权项 | 一种多层半导体基底，所述多层半导体基底包括：牺牲性载体，其能够导电且能够进行化学蚀刻；第一导体迹线层，其形成在所述牺牲性载体上；第二导体迹线层；以及(第一)互连层，其设置在所述第一导体迹线层和所述第二导体迹线层之间，其中，短柱连接所述第一导体迹线层和所述第二导体迹线层之间的选定区域。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||