一种GaN基LED外延片的制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基LED外延片的制备方法，该方法包括：在蓝宝石平面衬底上生长一层u-GaN层材料；在所述u-GaN层材料上依次生长InGaAlN多层结构，其中所述InGaAlN多层结构包括n型GaN层，p型GaN层以及位于n型层和p型层之间的多量子阱发光层。其中采用湿法粗化法对所述u-GaN层或n型GaN层进行粗化，达到提高光提取效率的目的，并且降低生产成本。

主权项

一种GaN基LED外延片的制备方法，包括：在蓝宝石平面衬底上生长一层u‑GaN层材料；在所述u‑GaN层材料上依次生长InGaAlN多层结构，其中所述InGaAlN多层结构包括n型GaN层，p型GaN层以及位于n型层和p型层之间的多量子阱发光层；其特征在于采用湿法粗化法对所述u‑GaN层或n型GaN层进行粗化。