| 发明名称 | III族氮化物半导体叠层衬底和III族氮化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | III族氮化物半导体叠层衬底(100)具备：沟道层(5)，该沟道层(5)为III族氮化物半导体：和势垒层(6)，该势垒层(6)形成在沟道层(5)上，与沟道层(5)形成异质界面，并且为III族氮化物半导体，势垒层(6、206)中，距表面的深度为10nm以下的区域的Cu浓度为1.0×10<sup>10</sup>(原子数/cm<sup>2</sup>)以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104254908A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201380021901.2 | 申请日期 | 2013.04.19 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 松林雅和;寺口信明;伊藤伸之 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种III族氮化物半导体叠层衬底(100、200)，其特征在于，具备：沟道层(5、205)，该沟道层(5、205)为III族氮化物半导体；和势垒层(6、206)，该势垒层(6、206)形成在所述沟道层(5、205)上，与所述沟道层(5、205)形成异质界面，并且为III族氮化物半导体，所述势垒层(6、206)中，距表面的深度为10nm以下的区域的Cu浓度为1.0×10<sup>10</sup>原子数/cm<sup>2</sup>以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||