发明名称 适用于调制激光器系统的可变频带间隙调制器
摘要 一种调制激光器系统通常包括发光区域,配备多个半导电层的调制区域,和分隔发光区域和调制区域的隔离区域,其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层。所述激光器可以是电吸收调制激光器,所述发光区域可包含分布反馈激光器,而所述调制区域可包含电吸收调制器。所述激光器的制造步骤包括:在基板上塑造下半导电缓冲层,在下半导电缓冲层上塑造活性层(包含带能带间隙的可变一个或多个量子井层),在活性层上塑造上半导电缓冲层,在上半导电缓冲层塑造接触层,和塑造隔离发光区域和调制区域的隔离区域。
申请公布号 CN104254951A 申请公布日期 2014.12.31
申请号 CN201380000582.7 申请日期 2013.02.19
申请人 索尔思光电(成都)有限公司 发明人 马克·海姆巴赫;尼尔·马格里特
分类号 H01S3/0941(2006.01)I 主分类号 H01S3/0941(2006.01)I
代理机构 四川力久律师事务所 51221 代理人 韩洋;林辉轮
主权项 一种半导体激光器包括:发光区域,调制区域,其具有多个半导电层的,其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层,和隔离区域,其分隔所述发光区域和所述调制区域。
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