发明名称 |
适用于调制激光器系统的可变频带间隙调制器 |
摘要 |
一种调制激光器系统通常包括发光区域,配备多个半导电层的调制区域,和分隔发光区域和调制区域的隔离区域,其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层。所述激光器可以是电吸收调制激光器,所述发光区域可包含分布反馈激光器,而所述调制区域可包含电吸收调制器。所述激光器的制造步骤包括:在基板上塑造下半导电缓冲层,在下半导电缓冲层上塑造活性层(包含带能带间隙的可变一个或多个量子井层),在活性层上塑造上半导电缓冲层,在上半导电缓冲层塑造接触层,和塑造隔离发光区域和调制区域的隔离区域。 |
申请公布号 |
CN104254951A |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201380000582.7 |
申请日期 |
2013.02.19 |
申请人 |
索尔思光电(成都)有限公司 |
发明人 |
马克·海姆巴赫;尼尔·马格里特 |
分类号 |
H01S3/0941(2006.01)I |
主分类号 |
H01S3/0941(2006.01)I |
代理机构 |
四川力久律师事务所 51221 |
代理人 |
韩洋;林辉轮 |
主权项 |
一种半导体激光器包括:发光区域,调制区域,其具有多个半导电层的,其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层,和隔离区域,其分隔所述发光区域和所述调制区域。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区西区科新路8号成都出口加工区西区2号5号标准厂房 |