抗蚀剂底层组合物以及利用其制造半导体集成电路器件的方法

摘要

提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。

主权项

一种抗蚀剂底层组合物，包含有机硅烷缩聚产物和溶剂，所述有机硅烷缩聚产物包括40mol％至76mol％由以下化学式1表示的结构单元、1至8mol％的由以下化学式2表示的结构单元、18至50mol％的由以下化学式3表示的结构单元，[化学式1][化学式2][化学式3]其中，在化学式1至3中，ORG选自由包括取代或未取代的芳环的C6至C30官能团、C1至C12烷基、和‑Y‑{Si(OR)₃}_a组成的组，其中，R是C1至C6烷基，Y是主链中的直链或支链的取代或未取代的C1至C20亚烷基；或包括选自由亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、以及它们的组合组成的组中的取代基的C1至C20亚烷基，并且a是1或2，并且Z选自由氢和C1至C6烷基组成的组。