一种肖特基势垒二极管芯片

摘要

本实用新型公开了一种肖特基势垒二极管芯片，属于半导体芯片制造领域。一种肖特基势垒二极管芯片，包括芯片、终端沟槽、保护层和电极；所述的芯片为肖特基势垒二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片、终端沟槽、保护层和电极。电极为沟槽栅氧多晶电极，电极包含肖特基区，保护层为PETEOS保护层。采用场表面氧化、牺牲氧化、栅氧氧化、淀积PETEOS氧化层、溅射肖特基金属、正面金属合金、背面减薄等方法对芯片工艺进行改进。实现了开关损耗低，正向导通电压较低，芯片功耗少的效果，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。

主权项

一种肖特基势垒二极管芯片，包括芯片(1)，其特征在于：还包括终端沟槽(2)、保护层(3)和电极(4)；所述的芯片(1)为肖特基势垒二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片(1)、终端沟槽(2)、保护层(3)和电极(4)。