发明名称 |
制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法 |
摘要 |
一种场截止型绝缘栅双极晶体管器件的制备方法,在衬底上外延生长形成重掺杂的N型外延层作为场截止层,然后外延生长形成轻掺杂的N型外延层作为耐压层,接着进行常规正面工艺,然后进行背面减薄工艺,接着在背部注入P型杂质并退火形成P型集电区,然后进行常规背面金属化工艺。采用本方法,生产周期较短,且不需要昂贵的高能离子注入设备和激光退火设备,可以按器件需求控制场截止层厚度和杂质浓度,并使减薄工艺难度降低,既提高了器件性能,也降低了工艺难度。本方法对衬底选取较自由,可选择成本较低的衬底。 |
申请公布号 |
CN104253043A |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201310271615.3 |
申请日期 |
2013.06.28 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
王万礼;邓小社;王根毅;芮强 |
分类号 |
H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/331(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
邓云鹏 |
主权项 |
一种制造场截止型绝缘栅双极晶体管的方法,包括下列步骤:提供衬底;在所述衬底正面外延生长形成重掺杂的N型外延层,作为场截止层;在所述场截止层上外延生长形成轻掺杂的N型外延层,作为耐压层;在所述耐压层上制造所述场截止型绝缘栅双极晶体管的正面结构;将所述衬底自背面开始进行减薄处理;自所述减薄后的衬底背面进行P型离子注入并退火;对所述衬底背面进行背面金属化。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |