一种发光二极管芯片

摘要

本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于LED技术领域。所述发光二极管芯片包括：衬底、n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层、电流扩散层、保护层、N电极和P电极，在n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层和电流扩散层上刻蚀有一个台阶，台阶由n型掺杂氮化镓层的表面、电流扩散层的表面以及连接n型掺杂氮化镓层的表面和电流扩散层的表面的台阶面构成，电流扩散层的中部设有蚀孔，P电极安装在p型掺杂氮化镓层的表面上且伸出蚀孔，N电极安装在n型掺杂氮化镓层的表面上，保护层覆盖在台阶上，台阶面与n型掺杂氮化镓层的表面的夹角为135°～144°，保护层的厚度为600～1000埃。

主权项

一种发光二极管芯片，包括衬底、n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层、电流扩散层、保护层、N电极和P电极，所述n型掺杂氮化镓层覆盖在所述衬底上，所述量子阱层覆盖在所述n型掺杂氮化镓层上，所述p型掺杂氮化镓层覆盖在所述量子阱层上，所述电流扩散层覆盖在所述p型掺杂氮化镓层上，在所述n型掺杂氮化镓层、所述量子阱层、所述p型掺杂氮化镓层和所述电流扩散层上刻蚀有一个台阶，所述台阶由所述n型掺杂氮化镓层的表面、所述电流扩散层的表面以及连接所述n型掺杂氮化镓层的表面和所述电流扩散层的表面的台阶面构成，所述电流扩散层的中部设有蚀孔，所述P电极安装在所述p型掺杂氮化镓层的表面上且伸出所述蚀孔，所述N电极安装在所述n型掺杂氮化镓层的表面上，所述保护层覆盖在所述台阶上，其特征在于，所述台阶面与所述n型掺杂氮化镓层的表面的夹角为135°～144°，所述保护层的厚度为600～1000埃。