发明名称 |
一种等离子诱导损伤的测试结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种等离子诱导损伤的测试结构,至少包括:位于同一层且平行排列的多个晶体管器件,所述晶体管器件的衬底电连至第一测试焊垫,所述晶体管的源极电连至第二测试焊垫,所述晶体管器件的漏极电连至第三测试焊垫,所述晶体管器件的栅极与不同层的金属线一一对应电连,每一层的金属线分支成第一子金属线和第二子金属线,其中第一子金属线电连至各自层的天线端,第二子金属线均电连至第四测试焊垫。利用本实用新型的测试结构,可以一次完成所有工艺层的评估和监控,节约测试时间,并且该结构占用面积小,与现有制作工艺兼容,适用于工业化生产。 |
申请公布号 |
CN204067350U |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201420497097.7 |
申请日期 |
2014.08.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
单文光;宋永梁 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种等离子诱导损伤的测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括:位于同一层且平行排列的多个晶体管器件,所述晶体管器件的衬底电连至第一测试焊垫,所述晶体管器件的源极电连至第二测试焊垫,所述晶体管器件的漏极电连至第三测试焊垫,所述晶体管器件的栅极与不同层的金属线一一对应电连;每一层的金属线分支成第一子金属线和第二子金属线,其中第一子金属线电连至各自层的天线端,第二子金属线均电连至第四测试焊垫。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |