发明名称 一种等离子诱导损伤的测试结构
摘要 本实用新型提供一种等离子诱导损伤的测试结构,至少包括:位于同一层且平行排列的多个晶体管器件,所述晶体管器件的衬底电连至第一测试焊垫,所述晶体管的源极电连至第二测试焊垫,所述晶体管器件的漏极电连至第三测试焊垫,所述晶体管器件的栅极与不同层的金属线一一对应电连,每一层的金属线分支成第一子金属线和第二子金属线,其中第一子金属线电连至各自层的天线端,第二子金属线均电连至第四测试焊垫。利用本实用新型的测试结构,可以一次完成所有工艺层的评估和监控,节约测试时间,并且该结构占用面积小,与现有制作工艺兼容,适用于工业化生产。
申请公布号 CN204067350U 申请公布日期 2014.12.31
申请号 CN201420497097.7 申请日期 2014.08.29
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 单文光;宋永梁
分类号 H01L23/544(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种等离子诱导损伤的测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括:位于同一层且平行排列的多个晶体管器件,所述晶体管器件的衬底电连至第一测试焊垫,所述晶体管器件的源极电连至第二测试焊垫,所述晶体管器件的漏极电连至第三测试焊垫,所述晶体管器件的栅极与不同层的金属线一一对应电连;每一层的金属线分支成第一子金属线和第二子金属线,其中第一子金属线电连至各自层的天线端,第二子金属线均电连至第四测试焊垫。
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