发明名称 |
压力调控薄膜晶体管及其应用 |
摘要 |
一种压力调控薄膜晶体管,其包括:一源极;一与该源极间隔设置的漏极;一半导体层,该半导体层与所述源极和漏极电连接;以及一栅极,该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置;其中,所述半导体层为一有机复合材料层,该有机复合材料层包括一高分子基底以及分散在所述高分子基底中的多个碳纳米管,所述高分子基底的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕,在所述半导体层上施加一垂直于所述半导体层的压力,该压力导致所述半导体层的带隙发生变化,从而使所述压力调控薄膜晶体管的开关比发生变化。本发明还涉及一应用该压力调控薄膜晶体管的压力感应装置。 |
申请公布号 |
CN102856495B |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201110181458.8 |
申请日期 |
2011.06.30 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
胡春华;刘长洪;范守善 |
分类号 |
H01L51/10(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;G01L1/16(2006.01)I;G01L9/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/10(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种压力调控薄膜晶体管,其包括:一源极;一与该源极间隔设置的漏极;一半导体层,该半导体层与所述源极和漏极电连接;以及一栅极,该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置;其特征在于,所述半导体层为一有机复合材料层,该有机复合材料层包括一高分子基底以及分散在所述高分子基底中的多个半导体性碳纳米管,所述高分子基底的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕,在所述半导体层上施加一垂直于所述半导体层的压力,该压力导致所述半导体层的带隙发生变化,从而使所述压力调控薄膜晶体管的开关比发生变化。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |