| 发明名称 | 进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法 | ||
| 摘要 | 一种进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法，在沉积制程中断后的多晶硅薄膜上通H<sub>2</sub>气流，再进行再沉积制程，直到完成多晶硅薄膜的沉积，然后依序进行后续制程。本发明能够缩小沉积制程和再沉积制程中形成的多晶硅薄膜的片电阻阻值差异，减少制程中断产生的不良影响，获得片电阻较为一致的多晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104253031A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310267826.X | 申请日期 | 2013.06.28 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 田守卫;姜国伟;孙洪福 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 张静洁;徐雯琼 |
| 主权项 | 一种进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法，该方法用于沉积制程遭到中断后，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、判断沉积制程遭到中断，转到步骤2；步骤2、在沉积制程中断后的多晶硅薄膜上通H<sub>2</sub>气流；步骤3、进行再沉积制程，直到完成多晶硅薄膜的沉积，然后依序进行后续制程。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||