发明名称 |
用于IC封装的硅空间转变器 |
摘要 |
本发明涉及一种用于IC封装的硅空间转变器。描述了一种包括至少第一集成电路(IC)和晶片制造的空间转变器(ST)的装置。所述IC包括底表面上的具有第一焊盘间距的接合焊盘。所述ST包括具有所述第一焊盘间距的接合焊盘的顶表面,并且所述第一IC的接合焊盘中的至少一部分与所述顶表面的接合焊盘接合。所述ST包括具有第二焊盘间距的接合焊盘的底表面、所述顶表面与所述底表面之间的至少一个电介质绝缘层、以及所述电介质层中的导电性互连,其被配置为提供所述顶表面的接合焊盘与所述底表面的接合焊盘之间的电连续性。 |
申请公布号 |
CN104253111A |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201410293670.7 |
申请日期 |
2014.06.26 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
D·马利克;R·L·赞克曼;S·沙兰 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;王英 |
主权项 |
一种集成电路(IC)封装,包括:在底表面上具有接合焊盘的至少第一IC,其中所述接合焊盘具有第一焊盘间距;以及晶片制造的空间转变器(ST),包括:具有接合焊盘的顶表面,其中所述接合焊盘具有所述第一焊盘间距,并且其中所述第一IC的所述接合焊盘中的至少一部分与所述顶表面的接合焊盘接合;具有接合焊盘的底表面,其中所述接合焊盘具有第二焊盘间距;在所述顶表面与所述底表面之间的至少一个电介质绝缘层;以及在所述电介质层中的导电性互连,其被配置为提供所述顶表面的接合焊盘与所述底表面的接合焊盘之间的电连续性。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |