发明名称 电子器件及其制造方法
摘要 提供一种电子器件及其制造方法,具有高性能及高功能、良好的高频特性、对降低成本有效的绝缘结构。半导体基板1具有在其厚度方向上延伸的纵孔30。绝缘物填充层3是通过向纵孔30内进行填充以覆盖其内周面而成的环状层。纵导体2由填充到被绝缘物填充层3所包围的区域20内的凝固金属体而成。绝缘填充层3是具有有机绝缘物或以玻璃为主成分的无机绝缘物、和具有纳米复合材料结构的陶瓷的层。纳米复合材料结构的陶瓷的常温电阻率超过10<sup>14</sup>Ω·cm,相对介电常数在4~9的范围内。
申请公布号 CN102254896B 申请公布日期 2014.12.31
申请号 CN201110132426.9 申请日期 2011.05.20
申请人 纳普拉有限公司 发明人 关根重信;关根由莉奈;桑名良治
分类号 H01L23/52(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/52(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 胡建新
主权项 一种电子器件,含有半导体基板、多个绝缘物填充层和多个纵导体,其特征在于,上述半导体基板具有在其厚度方向上贯通的多个纵孔,上述绝缘物填充层是通过分别向上述纵孔内以覆盖上述纵孔内周面的方式进行填充而成的环状层,由以玻璃为主成分的无机绝缘物、和陶瓷构成,通过填充含有上述陶瓷的液状玻璃并使其硬化而成,上述陶瓷具有纳米复合材料结构,常温电阻率超过10<sup>14</sup>Ω·cm,相对介电常数在4~9的范围内,上述纵导体是以每个纵导体埋设于一个上述绝缘物填充层的方式,分别被填充到通过上述绝缘物填充层所包围的区域的内部的凝固金属体,上述凝固金属体具有使纳米粒子分散到多个元素的一方的晶粒内的粒内纳米复合材料结晶结构、或使纳米粒子分散到晶界的粒界纳米复合材料结晶结构,通过上述陶瓷的上述常温电阻率及上述相对介电常数来调整上述纵导体各自与上述半导体基板之间的上述绝缘物填充层的相对介电常数及电阻率。
地址 日本东京都