氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化硅膜的制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法。其中氮化硅膜的制备方法包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向管式炉内通入氮气，并将管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层。通过在硅片上设置第一氮化硅膜层之前对管式炉恒温，使硅片经过恒温步骤后硅片四周和中间的温度一致，保证了硅片四周和中间的氮化硅膜生长速率一致，改善了硅片边缘因温度较高生长速率过快，解决了硅片表面各处氮化硅膜的厚度和折射率不同引起颜色偏差的问题，降低了硅片等级，提高了硅片的合格率。

主权项

一种氮化硅膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将硅片置入管式炉内；S2、向所述管式炉内通入氮气，并将所述管式炉在氮气气氛下升温至340℃～360℃，恒温500s～2000s；以及S3、利用PECVD法在所述硅片上依次形成第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层；所述步骤S3包括：S31、向所述管式炉内通入氨气，对所述硅片表面进行预处理；S32、向所述管式炉内通入包括硅烷和氨气的第一混合气体，在经预处理的所述硅片表面上形成所述第一氮化硅膜层；S33、向所述管式炉内通入包括硅烷和氨气的第二混合气体，在所述硅片形成有所述第一氮化硅膜层的一侧表面上形成所述第二氮化硅膜层；其中，所述步骤S32中进一步包括：按照体积流量比为1:3～1:5向所述管式炉内通入所述硅烷和所述氨气，其中所述硅烷的流量为800～1200sccm；在压强为1400～1600mTorr，射频功率为5800～6100W，沉积时间为120～200s条件下，在经预处理的所述硅片上形成所述第一氮化硅膜层；所述步骤S33中进一步包括：按照体积流量比为1:9～1:12向所述管式炉内通入所述硅烷和所述氨气，其中所述硅烷的流量为500～900sccm；在压强为1300～1500mTorr，射频功率为5800～6300W，沉积时间为600～800s条件下，在所述硅片形成有所述第一氮化硅膜层的一侧表面上形成所述第二氮化硅膜层。