半导体功率装置的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体功率装置的制作方法。首先，提供一基底，其上包括有至少一半导体层以及一衬垫层。接着，在衬垫层及半导体层内蚀刻出至少一沟渠，并于沟渠内及衬垫层上形成一掺质来源层。进行一热驱入工艺，将掺质来源层的掺质扩散到半导体层，并进行一抛光工艺，去除衬垫层上的掺质来源层。接着，进行一热氧化工艺，用来消除抛光工艺造成的微刮痕。最后，去除衬垫层，用来暴露出半导体层。

主权项

一种半导体功率装置的制作方法，其特征在于包括有：提供一基底，其上包括有至少一半导体层以及一衬垫层；于所述的衬垫层及所述的半导体层内蚀刻出至少一沟渠；于所述沟渠内及所述衬垫层上形成一掺质来源层；进行一热驱入工艺，将所述的掺质来源层的掺质扩散到所述的半导体层；进行一抛光工艺，去除所述衬垫层上的所述掺质来源层；进行一热氧化工艺，以于所述掺质来源层的上部形成一氧化层；进行一蚀刻工艺，除去所述氧化层，用来消除所述抛光工艺造成的微刮痕；以及去除所述的衬垫层，用来暴露出所述的半导体层。