| 摘要 |
<p>Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Hochqualitäts-SiC-Einkristall, bei dem die Dichte schraubenförmiger Versetzungen einschließlich Schraubenversetzung, Stufenversetzung und Mikrorohrdefekt reduziert ist, und ein Verfahren zum Herstellen eines solchen SiC-Einkristalls nach einer Lösungs-Technik bereitzustellen. Das Verfahren zum Herstellen des SiC-Einkristalls nach einer Lösungs-Technik, das ein SiC-Impfkristall in Kontakt mit einer Si-C Lösung gebracht wird, die einen Temperaturgradienten aufweist, in dem die Temperatur vom inneren Anteil zur Oberfläche hin geringer ist, und das Wachsenlassen eines SiC-Einkristalls beinhaltet, umfasst ein Einstellen des Temperaturgradienten des Oberflächenbereichs der Si-C Lösung auf 10°C/cm oder darunter, in Kontakt bringen der (1-100) Fläche eines SiC-Impfkristalls mit der Si-C Lösung und Wachsenlassen eines SiC-Einkristalls auf der (1-100) Fläche des Impfkristalls bei einem Verhältnis (Einkristallwachstumsrate/Temperaturgradient) der Wachstumsrate des SiC-Einkristalls zum Temperaturgradienten, von weniger als 20 × 10–4 cm2/h·°C.</p> |
