| 摘要 |
<p>이온빔 처리 장치에 이용되는 다중 루프 엔드홀 이온 소스는 자기장부와 전원부를 포함한다. 자기장부는 기판을 향하는 일측은 개방되고 타측은 폐쇄되며, 그 일측에는 다수의 자석이 N극과 S극이 교대로 또는 동일 자극으로 이격 배치되고, 그 타측에는 다수 자석이 자심으로 연결되어, 그 일측에서 플라즈마 전자의 가속 루프를 다중으로 형성한다. 전원부는 자기장부의 각 루프 하단에 배치되는 다수의 전극을 포함하고, 다수의 전극에는 동일 또는 다른 전압을 인가한다. 이를 통해, 이온 소스는 공정 챔버 내의 플라즈마 전자를 다중 루프로 회전시켜 공정 챔버 내의 내부 가스로부터 생성되는 플라즈마 이온을 기판으로 공급한다.</p> |
