| 摘要 |
1. Режущая пластина для механической обработки посредством удаления стружки, содержащая тело из твердого сплава из цементированного карбида, кермета, керамики, материалов на основе поликристаллического алмаза или кубического нитрида бора, на которое осаждено твердое и износостойкое покрытие, содержащее по меньшей мере один слой, отличающаяся тем, что указанный слой представляет собой слой (TiAlCrMe)(CON) со столбчатой структурой NaCl толщиной от 0,5 до 1,0 мкм, уровнем напряжения сжатия -6 ГПа <σ< -0,5 Гпа, нанотвердостью >25 Гпа со средней шириной столбчатого кристалла <1 мкм и где Ме представляет собой один или более из элементов: Zr, Hf, V, Nb, Та, Mo, W или Si и0,10<a<0,60,b+d>0,20с>0,05,0≤d<0,25,0,75<x<1,05,0≤у<0,25,0≤z<0,25.2. Режущая пластина по п. 1, отличающаяся тем, что Ме представляет собой один или более из элементов Zr, Nb и Та.3. Режущая пластина по п. 1, отличающаяся тем, что 0,25<a<0,55.4. Режущая пластина по п. 1, отличающаяся тем, что b+d>0,25.5. Режущая пластина по п. 1, отличающаяся тем, что 0,05<с<b+d.6. Режущая пластина по п. 1, отличающаяся тем, что 0,90<x<1,05.7. Режущая пластина по п. 1, отличающаяся тем, что указанный слой имеет текстуру- TC(220)<TC(111),- TC(220)<TC(200) и- 0,1<TC(111)/TC(200)<10,где TC(hkl) представляет собой скорректированный коэффициент текстуры для (hkl) отражения и рассчитывается как,где μ(мкм) представляет собой коэффициент линейного поглощения, который в среднем составляет μ=0,0815 мкмдля указанных слоев, х (мкм) представляет собой толщину слоя, θпредставляет половину угла дифракции для (hkl) отражения и TC(hkl) представляет собой измеренный коэффициент текстуры с использованием рентгенодифракционных данных в конфигурации θ-2θ согласно:,где I(hkl) представляет собой интенсивность (hkl) отражения, |
