| 摘要 |
Способ СВЧ плазменного формирования пленок кубического карбида кремния на кремнии, предусматривающий очистку поверхности пластины, формирование слоя нанопористого кремния на поверхности кремниевой пластины с базовой ориентацией (100) или (111) и осаждение слоя 3C-SiC, отличающийся тем, что очистку поверхности, формирование слоя нанопористого кремния и осаждение слоя 3C-SiC проводят в одной технологической операции в несколько стадий - очистку поверхности и формирование слоя нанопористого кремния проводят с помощью СВЧ плазменной очистки и травления поверхности кремниевой пластины с использованием газов CFи O, а осаждение слоя 3C-SiC проводят с помощью СВЧ плазменного синтеза с использованием газов - SiF(SiH), CFи Н, все технологические операции проводят в СВЧ плазме пониженного давления 1·10÷10 торр, температуре предметного столика 600÷250°C и его электрическом смещении от минус 10 В до минус 300 В. |
