| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche de circuits (2) enterrée. Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à : - prendre un substrat donneur (1,1') comprenant intérieurement une zone (7,7') d'arrêt de la gravure et recouvert sur l'une de ses faces (12), dite "avant", d'une couche de circuits (2), - réaliser sur toute la circonférence dudit substrat donneur (1,1'), du côté de sa face recouverte de la couche de circuits (2), soit une tranchée périphérique (3) qui s'étend à distance du bord latéral (13) de ce substrat, soit un détourage périphérique (3'), ce détourage (3') ou cette tranchée (3) étant réalisés sur une profondeur telle qu'ils traversent entièrement la couche de circuits (2) et se prolongent dans le substrat donneur (1,1'), - déposer sur la face exposée (21) de ladite couche de circuits (2) et sur la face détourée (13') ou sur les parois de ladite tranchée (3), une couche d'un matériau d'arrêt (4) sélectif vis-à-vis de la gravure de ladite couche de circuits (2), dite deuxième couche d'arrêt", sans obturer ladite tranchée (3), - coller un substrat receveur (5) sur ledit substrat donneur (1,1') du côté recouvert par ladite deuxième couche d'arrêt (4), - amincir le substrat donneur (1) par gravure chimique de sa face arrière (11), jusqu'à atteindre ladite zone (7,7') d'arrêt de la gravure, de façon à obtenir le transfert de ladite couche de circuits (2) enterrée sur ledit substrat receveur (5). |
