使用UV-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆分割

摘要

本发明描述使用UV-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割。在实例中，本发明的方法包括以下步骤：形成掩模于半导体晶圆上。半导体晶圆利用UV-可硬化黏着膜耦接至承载基板。掩模覆盖及保护集成电路。以激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路之间的半导体晶圆区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶圆，以形成单粒化集成电路。接着以紫外(UV)光照射UV-可硬化黏着膜。接着自承载基板取下单粒化集成电路。

主权项

一种切割半导体晶圆的方法，所述半导体晶圆包含多个集成电路，所述方法包含以下步骤：形成掩模于所述半导体晶圆上，所述半导体晶圆利用UV‑可硬化黏着膜耦接至承载基板，所述掩模覆盖及保护所述集成电路；以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模，而露出所述集成电路之间所述半导体晶圆的区域；经由所述图案化掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成单粒化集成电路；以紫外(UV)光照射所述UV‑可硬化黏着膜；及自所述承载基板取下所述单粒化集成电路。