| 发明名称 | LDMOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种LDMOS晶体管及其形成方法，其中LDMOS晶体管包括：具有阱区的衬底；位于阱区内的漏区；位于阱区内、环绕所述漏区的环形源区；位于所述衬底上的环形栅介质层、位于环形栅介质层上的环形栅极，漏区位于所述栅极内侧，源区位于所述栅极外侧；还包括：位于所述栅极内侧阱区内的漂移区，漏区位于所述漂移区内，所述漂移区和所述栅极内侧边缘部分在垂直衬底表面方向上具有环形叠置部分；位于所述漂移区内的至少一个环形隔离结构，所述隔离结构环绕所述漏区，最外圈所述隔离结构和所述栅极内侧边缘部分在垂直衬底表面方向上具有环形叠置部分。采用本发明的方法，可以减小LDMOS晶体管在芯片上的占用面积。 | ||
| 申请公布号 | CN104241354A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310231955.3 | 申请日期 | 2013.06.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邱慈云;吕瑞霖;蔡建祥 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种LDMOS晶体管，其特征在于，包括：具有阱区的衬底；位于所述阱区内的漏区；位于所述阱区内、环绕所述漏区的环形源区；位于所述衬底上的环形栅介质层、位于环形栅介质层上的环形栅极，所述漏区位于所述栅极内侧，所述源区位于所述栅极外侧；还包括：位于所述栅极内侧阱区内的漂移区，所述漏区位于所述漂移区内，所述漂移区和所述栅极内侧边缘部分在垂直衬底表面方向上具有环形叠置部分；位于所述漂移区内的至少一个环形隔离结构，所述隔离结构环绕所述漏区，最外圈所述隔离结构和所述栅极内侧边缘部分在垂直衬底表面方向上具有环形叠置部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||