包含具有应力通道区的晶体管的设备及其形成方法

摘要

本发明涉及包含具有应力通道区的晶体管的设备及其形成方法，提供一种装置包括基板、P通道晶体管以及N通道晶体管。基板包括第一半导体材料的第一层以及第二半导体材料的第二层。第一与第二半导体材料具有不同的晶格常数。P通道晶体管包括在基板的第一部位中具有压缩应力的通道区。P通道晶体管的通道区包括第一半导体材料的第一层的一部分以及第二半导体材料的第二层的一部分。N通道晶体管包括在基板的第二部位中形成具有拉伸应力的通道区。N通道晶体管的通道区包括第一半导体材料的第一层的一部分以及第二半导体材料的第二层的一部分。还揭露的是形成所述装置的方法。

主权项

一种装置，包含：基板，该基板包含第一半导体材料的第一层及第二半导体材料的第二层，其中，该第二层设于该第一层上，并且该第一与第二半导体材料具有不同的晶格常数；P通道晶体管，包含具有该基板的第一部位中所提供压缩应力的通道区，该P通道晶体管的该通道区包含该第一半导体材料的该第一层的一部分以及该第二半导体材料的该第二层的一部分；以及N通道晶体管，包含具有该基板的第二部位中所形成拉伸应力的通道区，该N通道晶体管的该通道区包含该第一半导体材料的该第一层的一部分以及该第二半导体材料的该第二层的一部分。