发明名称 图形化方法
摘要 一种图形化方法,包括:提供基底;在所述基底上形成第一薄膜层;对所述第一薄膜层进行第一刻蚀,刻蚀至所述第一薄膜层下表面,形成多个平行排列的第一条状结构,所述第一条状结构的顶部宽度小于底部宽度,相邻两个第一条状结构之间具有窗口;在所述窗口内填充牺牲层,所述牺牲层的高度小于所述第一条状结构的高度;以所述牺牲层为掩膜,对所述第一条状结构进行第二刻蚀,刻蚀所述第一条状结构至所述第一条状结构下表面,将每一个第一条状结构刻成两个第二条状结构,所述第二条状结构为三棱柱状,所述第二条状结构的高度等于所述牺牲层的高度;去除所述牺牲层,得到预定关键尺寸的条状结构。本图形化方法,能够有效减小图形的关键尺寸。
申请公布号 CN104241117A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201310232131.8 申请日期 2013.06.09
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 张城龙;王新鹏
分类号 H01L21/308(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I 主分类号 H01L21/308(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种图形化方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底上形成第一薄膜层;对所述第一薄膜层进行第一刻蚀,刻蚀至所述第一薄膜层下表面,形成多个平行排列的第一条状结构,所述第一条状结构的顶部宽度小于底部宽度,相邻两个第一条状结构之间具有窗口;在所述窗口内填充牺牲层,所述牺牲层的高度小于所述第一条状结构的高度;以所述牺牲层为掩膜,对所述第一条状结构进行第二刻蚀,刻蚀所述第一条状结构至所述第一条状结构下表面,将每一个第一条状结构刻成两个第二条状结构,所述第二条状结构为三棱柱状,所述第二条状结构的高度等于所述牺牲层的高度;去除所述牺牲层。
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