发明名称 |
图形化方法 |
摘要 |
一种图形化方法,包括:提供基底;在所述基底上形成第一薄膜层;对所述第一薄膜层进行第一刻蚀,刻蚀至所述第一薄膜层下表面,形成多个平行排列的第一条状结构,所述第一条状结构的顶部宽度小于底部宽度,相邻两个第一条状结构之间具有窗口;在所述窗口内填充牺牲层,所述牺牲层的高度小于所述第一条状结构的高度;以所述牺牲层为掩膜,对所述第一条状结构进行第二刻蚀,刻蚀所述第一条状结构至所述第一条状结构下表面,将每一个第一条状结构刻成两个第二条状结构,所述第二条状结构为三棱柱状,所述第二条状结构的高度等于所述牺牲层的高度;去除所述牺牲层,得到预定关键尺寸的条状结构。本图形化方法,能够有效减小图形的关键尺寸。 |
申请公布号 |
CN104241117A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201310232131.8 |
申请日期 |
2013.06.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张城龙;王新鹏 |
分类号 |
H01L21/308(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种图形化方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底上形成第一薄膜层;对所述第一薄膜层进行第一刻蚀,刻蚀至所述第一薄膜层下表面,形成多个平行排列的第一条状结构,所述第一条状结构的顶部宽度小于底部宽度,相邻两个第一条状结构之间具有窗口;在所述窗口内填充牺牲层,所述牺牲层的高度小于所述第一条状结构的高度;以所述牺牲层为掩膜,对所述第一条状结构进行第二刻蚀,刻蚀所述第一条状结构至所述第一条状结构下表面,将每一个第一条状结构刻成两个第二条状结构,所述第二条状结构为三棱柱状,所述第二条状结构的高度等于所述牺牲层的高度;去除所述牺牲层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |