| 发明名称 | 应变记忆作用的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种应变记忆作用的半导体器件的制造方法，在半导体基底上形成多个MOS管；形成位于所述MOS管上的第一应力层，所述第一应力层包括第一化学键；对所述第一应力层进行湿化学处理，向第一应力层提供化学键结合原子，形成包括第一化学键和第二化学键的第二应力层，所述第二化学键的应力小于第一化学键的应力；对所MOS管进行退火处理；去除所述第二应力层。本发明可避免应变记忆作用的半导体器件的应力过大。 | ||
| 申请公布号 | CN102543874B | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201010617131.6 | 申请日期 | 2010.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B01J19/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种应变记忆作用的半导体器件的制造方法，其特征在于，在半导体基底上形成多个MOS管；形成位于所述MOS管上的第一应力层，所述第一应力层包括第一化学键；对所述第一应力层进行湿化学处理，向第一应力层提供化学键结合原子，形成包括第一化学键和第二化学键的第二应力层，所述第二化学键的应力小于第一化学键的应力；对所MOS管进行退火处理；去除所述第二应力层；所述湿化学处理的工艺为通过包含所述化学键结合原子的化学溶液对所述第一应力层进行超声处理；所述第一应力层的材料为氮化硅，第一化学键为硅氮键，所述化学键结合原子为氧原子，第二化学键为硅氧键。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||