| 发明名称 | 氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构，通过采用氧化物导体层来定义氧化物半导体TFT基板的沟道，由于该氧化物导体层较薄，与现有技术相比，所述沟道的宽度可以制作得较小，并且沟道宽度可以得到准确控制，因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度，提升了氧化物半导体TFT基板的性能，提高生产良率。本发明制得的氧化物半导体TFT基板结构中，由于氧化物导体层与氧化物半导体层结构组成类似，因此可形成良好的欧姆接触；氧化物导体层不会给氧化物半导体层造成金属离子污染；由于氧化物导体层是透明的，因此可提高开口率。 | ||
| 申请公布号 | CN104241299A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410445154.1 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 李文辉 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积并图案化氧化物导体层，得到具有沟道(51)的氧化物导体层(5)；步骤2、在所述氧化物导体层(5)上沉积并图案化氧化物半导体层，得到氧化物半导体层(6)；步骤3、在所述氧化物半导体层(6)上沉积第一绝缘层(3)；步骤4、在所述第一绝缘层(3)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(2)；步骤5、在所述栅极(2)上沉积第二绝缘层(31)；步骤6、对所述第一绝缘层(3)与第二绝缘层(31)同时进行图案化处理，得到过孔(32)、(33)；步骤7、在所述第二绝缘层(31)上形成源极(52)与漏极(4)。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||