发明名称 | 一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片 | ||
摘要 | 一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片,包括基底,在基底上设有硅结构层,在硅结构层上设有上极板;基底的上表面与硅结构层的下表面通过阳极键合连接,硅结构层的上表面与上极板的下表面通过阳极键合连接,采用压阻原理测量静电场力,从而得到静电场强度;采用梁膜结合的方式,使得测量灵敏度极大提高;芯片中心膜不带质量块,厚度小,并且采用四梁支撑承力膜,提高了结构刚度,传感器芯片频响高,连接简洁,电阻条和引线布置易于实现,结构稳定,制作工艺成熟,采用可靠的封装方法,可以使芯片适应多种不同环境;芯片批量化生产后单个成本很低,而且接口和安装极为简便,适合工业现场大规模应用。 | ||
申请公布号 | CN104237652A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
申请号 | CN201410443797.2 | 申请日期 | 2014.09.03 |
申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 赵玉龙;白民宇;耿英三;翟小社 |
分类号 | G01R29/12(2006.01)I | 主分类号 | G01R29/12(2006.01)I |
代理机构 | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人 | 贺建斌 |
主权项 | 一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片,包括基底(3),其特征在于:在基底(3)上设有硅结构层(2),在硅结构层(2)上设有上极板(1);基底(3)的上表面与硅结构层(2)的下表面通过阳极键合连接,硅结构层(2)的上表面与上极板(1)的下表面通过阳极键合连接。 | ||
地址 | 710049 陕西省西安市咸宁路28号 |