突触阵列、脉冲整形电路和神经形态系统

摘要

本发明提供了一种突触阵列、脉冲整形电路和神经形态系统。所述突触阵列包括多个突触电路。所述多个突触电路中的至少一个突触电路包括至少一个偏压晶体管和至少两个截止晶体管，并且所述至少一个突触电路被构造为使用通过所述至少一个偏压晶体管的亚阈值泄漏电流来给与所述至少一个突触电路连接的神经元电路的膜节点充电。

主权项

一种基于静态随机存取存储器(SRAM)的突触阵列，所述突触阵列包括多个突触电路，其中，所述多个突触电路中的至少一个突触电路包括至少一个偏压晶体管和至少两个截止晶体管，并且所述至少一个突触电路被构造为使用通过所述至少一个偏压晶体管的亚阈值泄漏电流来给与所述至少一个突触电路连接的神经元电路的膜节点充电。