发明名称 偏光薄膜、图像显示装置、以及偏光薄膜的制造方法
摘要 [课题]本发明提供具有高二色性比的偏光薄膜。[解决方法]一种偏光薄膜,其包含用下述通式(1)表示的双偶氮化合物。通式(1)中,Q表示取代或者未取代的苯基、或具有杂环的取代或者未取代的苯基,前述苯基的不相邻的碳原子可以被氮原子取代,R<sup>1</sup>表示烷基,R<sup>2</sup>表示氢、乙酰基、或取代或者未取代的苯甲酰基,n表示1或2,M表示抗衡离子。<img file="DDA0000589054280000011.GIF" wi="1128" he="440" />
申请公布号 CN104246553A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201380020727.X 申请日期 2013.03.22
申请人 日东电工株式会社 发明人 中西贞裕;黑木美由纪
分类号 G02B5/30(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I 主分类号 G02B5/30(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种偏光薄膜,其包含下述通式(1)表示的双偶氮化合物,<img file="FDA0000589054250000011.GIF" wi="1145" he="457" />Q表示取代或者未取代的苯基、或具有杂环的取代或者未取代的苯基,所述苯基的不相邻的碳原子可以被氮原子取代,R<sup>1</sup>表示烷基,R<sup>2</sup>表示氢、乙酰基、或取代或者未取代的苯甲酰基,n表示1或2,M表示抗衡离子。
地址 日本大阪府