| 发明名称 | 改善半导体器件一体化刻蚀残留缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善半导体器件一体化刻蚀残留缺陷的方法，包括：提供半导体器件，并对该半导体器件表面进行一体化刻蚀处理以形成金属互连层；对上述半导体器件进行高温无电浆的灰化工艺清除金属互连层中的残留缺陷；通入混合气体以保护金属互连层表面的铜。本发明根据产品残留缺陷情况，在产品金属互连层一体化刻蚀工艺后引入高温无电浆灰化表面处理工艺将孔洞中的残留缺陷蒸发抽走，并保证对晶圆无损伤和避免铜被氧化，还原氧化的铜。本发明无需使用湿法刻蚀工艺即可消除残留缺陷，降低了一体化刻蚀机台保养频率，使得机台的生产效率得以提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104241097A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410443196.1 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 高腾飞;张颂周;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种改善半导体器件一体化刻蚀残留缺陷的方法，其特征在于，包括：提供半导体器件，并对该半导体器件表面进行一体化刻蚀处理以形成金属互连层；对上述半导体器件进行高温无电浆的灰化工艺清除金属互连层中的残留缺陷；通入混合气体以保护金属互连层表面的铜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||