发明名称 |
一种二硒化铂晶体材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种二硒化铂二维晶态材料及其制备方法,其步骤包括:1)在真空环境下,将适量高纯度硒蒸发沉积到过渡金属铂基底上;2)进行退火处理,以使覆盖在所述基底表面的硒原子和基底铂原子发生相互作用,形成硒-铂-硒三明治排布的二维有序晶态膜状结构,从而获得二硒化铂晶态材料。这种无机二维晶态材料是过渡金属二硫属化合物家族的新成员,拓展了非碳基二维晶体材料的研究领域,在未来信息电子学及器件开发研究方面具有广泛的应用潜力。本发明通过分子束外延方法生长出了大面积高质量的二硒化铂二维晶态材料,便于进一步研究二硒化铂晶态材料的电子性质及相关应用开发。 |
申请公布号 |
CN104233214A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410429723.3 |
申请日期 |
2014.08.28 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
王业亮;李林飞;王裕祺;高鸿钧 |
分类号 |
C23C14/58(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/58(2006.01)I |
代理机构 |
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 |
代理人 |
胡剑辉 |
主权项 |
一种二硒化铂(PtSe<sub>2</sub>)二维晶态材料,其特征在于,硒原子层和铂原子层形成为硒‑铂‑硒的三明治结构,所述三明治结构在二维平面内周期性扩展。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街八号 |