发明名称 |
背离率的计算方法和二次离子质谱分析方法 |
摘要 |
本发明公开了一种背离率的计算方法及二次离子质谱分析方法。包括提供待测样品和标准样品,并将所述待测样品和标准样品整合在同一坐标系中;在保证区域面积和曲率不变的情况下,对所述待测样品和标准样品进行高斯平滑处理;将处理后的待测样品和标准样品做点对点除法处理,得到拟合曲线;在所述拟合曲线中限定可用区域;由所述可用区域获得所述背离率;获得了与离子注入角度偏差成正比的背离率,从而能够明确判断设备是否需要维护节省了时间和耗材;并能够侦测到离子注入机早期微小的异常并给出改进方向。 |
申请公布号 |
CN104237279A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201310232003.3 |
申请日期 |
2013.06.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
史江北;李震远;郑晓刚;李爱民;刘竞文 |
分类号 |
G01N23/225(2006.01)I |
主分类号 |
G01N23/225(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种背离率的计算方法,用于检测离子注入工艺参数,其特征在于,包括:提供待测样品和标准样品,并将所述待测样品和标准样品整合在同一坐标系中;在保证区域面积和曲率不变的情况下,对所述待测样品和标准样品进行高斯平滑处理;将处理后的待测样品和标准样品做点对点除法处理,得到拟合曲线;在所述拟合曲线中限定可用区域;由所述可用区域获得所述背离率;其中,所述背离率与离子注入角度偏差成正比。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |