发明名称 高隔离度单刀双掷开关
摘要 本实用新型公开了高隔离度单刀双掷开关,包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接;所述第一电路包括电容C1、二极管V3、由电感L1和电容C2接地形成的第二支路,由电阻R1和二极管V1形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路;所述电容C1、第三支路和二极管V3依次连接;所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路;所述电容C1与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。单刀双掷开关通过增加的两级由电感L1和电容C2接地形成的第二支路来实现对射频信号的抑制,以最终解决开关线路产生谐振的问题。
申请公布号 CN204046561U 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201420150042.9 申请日期 2014.03.31
申请人 成都创新达微波电子有限公司 发明人 周开斌;毛艳
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高隔离度单刀双掷开关,其特征在于:包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接; 所述第一电路包括电容C1、二极管V3、由电感L1和电容C2接地形成的第二支路,由电阻R1和二极管V1形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路;所述电容C1、第三支路和二极管V3依次连接;所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路;所述电容C1与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。
地址 610041 四川省成都市高新区桂溪工业园
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