发明名称 | 高隔离度单刀双掷开关 | ||
摘要 | 本实用新型公开了高隔离度单刀双掷开关,包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接;所述第一电路包括电容C1、二极管V3、由电感L1和电容C2接地形成的第二支路,由电阻R1和二极管V1形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路;所述电容C1、第三支路和二极管V3依次连接;所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路;所述电容C1与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。单刀双掷开关通过增加的两级由电感L1和电容C2接地形成的第二支路来实现对射频信号的抑制,以最终解决开关线路产生谐振的问题。 | ||
申请公布号 | CN204046561U | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
申请号 | CN201420150042.9 | 申请日期 | 2014.03.31 |
申请人 | 成都创新达微波电子有限公司 | 发明人 | 周开斌;毛艳 |
分类号 | H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/687(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种高隔离度单刀双掷开关,其特征在于:包括由电感L2和电阻R2串联形成的第一支路、两条第一电路和电容C3;所述第一支路和电容C3并联后与两条第一电路并联后形成的电路连接; 所述第一电路包括电容C1、二极管V3、由电感L1和电容C2接地形成的第二支路,由电阻R1和二极管V1形成的第三支路及由二极管V2接地形成的第四支路;所述电容C1、第三支路和二极管V3依次连接;所述第三支路和二极管V3之间串联有至少两级第四支路;所述电容C1与第三支路之间连接有两级串联在一起的第二支路。 | ||
地址 | 610041 四川省成都市高新区桂溪工业园 |