基于双面金属包覆波导结构非晶硅太阳能电池及制造工艺

摘要

本发明涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种太阳能电池。基于双面金属包覆波导结构的非晶硅太阳能电池，包括太阳能电池层，太阳能电池层包括衬底层、非晶硅层、导电薄膜层、玻璃层，玻璃层、导电薄膜层和非晶硅层形成波导层。衬底层采用金属全反射层。金属耦合层设置在玻璃层上。金属耦合层、波导层和金属全反射层形成波导结构。基于双面金属包覆波导结构的非晶硅太阳能电池的制造方法，包括：1)制备玻璃层；2)掩膜；3)制备金属耦合层；4)制备导电薄膜层；5)制备非晶硅层；6)制备金属全反射层。由于采用上述技术方案，本发明具有吸收光谱宽、光谱入射角度宽、效率高、陷光作用强等显著优点。

主权项

基于双面金属包覆波导结构的非晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1)制备玻璃层：对玻璃基板进行清洗；2)掩膜：在玻璃基板的四周边缘进行掩膜；3)制备金属耦合层：在玻璃基板的入射面镀金属膜；4)制备导电薄膜层：在玻璃基板的四周边缘再次进行掩膜；在玻璃基板的下方制备ITO层；并在玻璃基板的四周边缘再次进行掩膜，且留出四周的ITO作为正电极；5)制备非晶硅层：在ITO层上沉积P、I、N三层非晶硅薄膜；6)制备金属全反射层：在非晶硅层上镀金属膜；所述玻璃层、所述导电薄膜层和所述非晶硅层形成一波导层；所述金属耦合层、所述波导层和所述金属全反射层形成一波导结构；步骤3)中，采用直流溅射的方式在玻璃基板上镀银、铝膜或金膜；步骤4)中，采用磁控溅射制备ITO层，作为上电极；步骤5)中，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在ITO层上沉积P、I、N三层非晶硅薄膜；步骤6)中，采用磁控溅射法在非晶硅层上镀银、铝膜或金膜，作为下电极；等离子体增强化学气相沉积法的参数如下：射频功率为36W，功率电容耦合为14.12MHz，衬底温度范围为200℃～250℃，气体辉光气压范围在20pa以下。