发明名称 一种I<sup>2</sup>C上拉电阻的计算方法和装置
摘要 本发明提出了一种I<sup>2</sup>C上拉电阻的计算方法和装置,该方法和装置根据I<sup>2</sup>C总线工作在快速模式下线路特性得出tr与t<sub>low</sub>的取值范围,从而根据该取值范围和包含I<sup>2</sup>C上拉电阻的阻值R的tr与t<sub>low</sub>的计算式计算出R的取值范围。本发明能够在设计电路时通过计算式求得I<sup>2</sup>C上拉电阻的阻值R,避免重复性的尝试工作,为I<sup>2</sup>C总线的电路设计工作提供了方便。
申请公布号 CN104239629A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410459098.7 申请日期 2014.09.10
申请人 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 发明人 王素华
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人 王丹;李丹
主权项 一种内部集成电路I<sup>2</sup>C上拉电阻的计算方法,其特征在于,所述方法包括:确定Uc的上升时间tr和串行时钟SCL的低电平持续时间t<sub>low</sub>的取值范围;所述Uc为所述I<sup>2</sup>C总线的印刷电路板PCB板线路通道的等效电容的电压;根据所述上升时间tr和所述低电平持续时间t<sub>low</sub>的取值范围及下列计算式得到R的取值范围:t<sub>low</sub>=T/2+0.36RC;tr=0.85RC;其中,T为时钟周期,C为所述等效电容的电容值。
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