发明名称 |
一种I<sup>2</sup>C上拉电阻的计算方法和装置 |
摘要 |
本发明提出了一种I<sup>2</sup>C上拉电阻的计算方法和装置,该方法和装置根据I<sup>2</sup>C总线工作在快速模式下线路特性得出tr与t<sub>low</sub>的取值范围,从而根据该取值范围和包含I<sup>2</sup>C上拉电阻的阻值R的tr与t<sub>low</sub>的计算式计算出R的取值范围。本发明能够在设计电路时通过计算式求得I<sup>2</sup>C上拉电阻的阻值R,避免重复性的尝试工作,为I<sup>2</sup>C总线的电路设计工作提供了方便。 |
申请公布号 |
CN104239629A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410459098.7 |
申请日期 |
2014.09.10 |
申请人 |
浪潮(北京)电子信息产业有限公司 |
发明人 |
王素华 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
王丹;李丹 |
主权项 |
一种内部集成电路I<sup>2</sup>C上拉电阻的计算方法,其特征在于,所述方法包括:确定Uc的上升时间tr和串行时钟SCL的低电平持续时间t<sub>low</sub>的取值范围;所述Uc为所述I<sup>2</sup>C总线的印刷电路板PCB板线路通道的等效电容的电压;根据所述上升时间tr和所述低电平持续时间t<sub>low</sub>的取值范围及下列计算式得到R的取值范围:t<sub>low</sub>=T/2+0.36RC;tr=0.85RC;其中,T为时钟周期,C为所述等效电容的电容值。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地信息路2号2-1号C栋1层 |