| 发明名称 | 一种像素表面高平整度实现方法 | ||
| 摘要 | 本发明适用于像素制造工艺领域，提供了一种像素表面高平整度实现方法，包括：硅衬底及集成电路器件制备步骤、等离子增强化学气相淀积PECVD方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤、制备镜面反射电极的步骤。本发明提供的像素表面平整度实现方法具有如下有益效果：每次介质层制备完成均施行一次CMP工艺，确保镜面反射电极制备之前的像素表面的平整度；同时，本发明用银代替铝制备镜面反射电极，提高了镜面反射电极反射率和抗氧化性。 | ||
| 申请公布号 | CN104238172A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410459140.5 | 申请日期 | 2014.09.10 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杜寰 |
| 分类号 | G02F1/1333(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1333(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘杰 |
| 主权项 | 一种像素表面高平整度实现方法，其特征在于，包括：硅衬底及集成电路器件制备步骤、等离子增强化学气相淀积PECVD方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤、制备镜面反射电极的步骤。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||