发明名称 接合方法、电子装置的制造方法和电子部件
摘要 本发明提供一种在确保充分的接合强度的同时将第1金属部件和第2金属部件接合且能抑制、防止温阶连接的再回流焊等阶段中的接合材料流出的接合方法等。在将由第1金属构成的第1金属部件(11a)和由第2金属构成的第2金属部件(11b)介由含有比第1和/或第2金属熔点低的低熔点金属的接合材料(10)进行接合时,使构成接合材料的低熔点金属为Sn或含Sn合金,第1和第2金属中的至少一方为会与构成接合材料的低熔点金属之间生成金属间化合物12的金属或合金,在将接合材料配置在第1金属部件和第2金属部件之间的状态下,在上述低熔点金属熔融的温度下进行热处理。
申请公布号 CN104245203A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201380012347.1 申请日期 2013.02.08
申请人 株式会社村田制作所 发明人 中野公介;高冈英清
分类号 B23K1/00(2006.01)I;C22C9/01(2006.01)I;C22C13/00(2006.01)I;C22C13/02(2006.01)I;B23K1/19(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H05K3/34(2006.01)I;B23K35/26(2006.01)I;B23K101/40(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I 主分类号 B23K1/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 金世煜;苗堃
主权项 接合方法,用于将具有第1金属的第1金属部件和具有第2金属的第2金属部件用以熔点低于上述第1金属和/或上述第2金属的低熔点金属为主要成分的接合材料接合,在该方法中,构成所述接合材料的所述低熔点金属为Sn或含Sn合金,所述第1金属和所述第2金属中的至少一方以Cu‑Al合金和/或Cu‑Cr合金为主要成分,并且,具有以下热处理工序:在将所述接合材料配置在所述第1金属部件和第2金属部件之间的状态下,在构成所述接合材料的所述低熔点金属熔融的温度下进行热处理,由此介由含有由构成所述接合材料的低熔点金属与构成所述第1金属和/或所述第2金属的所述Cu‑Al合金或所述Cu‑Cr合金反应生成的金属间化合物的接合部,将所述第1金属部件和所述第2金属部件接合。
地址 日本京都府