发明名称 低相位噪声的压控振荡器
摘要 本发明的实施例包括低相位噪声的振荡器电路,所述振荡器电路使用电流再利用技术来降低功耗并且改进相位噪声,其中,所述振荡器电路包括与第二VCO耦合的第一VCO,并且所述第一VCO的输出和第二VCO的输出与诸如电容器之类的无源元件耦合。第一VCO和第二VCO两者的总功耗大约与单个VCO的功耗相同。此外,相位噪声降低了大约3dB。因此,在不增加振荡器电路的功耗的情况下改进了相位噪声性能。
申请公布号 CN102474220B 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201080035001.X 申请日期 2010.08.02
申请人 英特尔公司 发明人 S·S·泰勒;D·高希
分类号 H03B5/12(2006.01)I;H04B1/10(2006.01)I 主分类号 H03B5/12(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 张伟;王英
主权项 一种振荡器电路,包括:用于接收供电电压的第一压控振荡器,所述第一压控振荡器包括第一输出端和第二输出端;与所述第一压控振荡器耦合的第二压控振荡器,用于接收所述供电电压的供电电流,所述第二压控振荡器包括第一输出端和第二输出端;第一无源元件,所述第一无源元件将所述第一压控振荡器的第一输出端耦合到所述第二压控振荡器的第一输出端;第二无源元件,所述第二无源元件将所述第一压控振荡器的第二输出端耦合到所述第二压控振荡器的第二输出端;以及差分输出端,所述差分输出端包括所述第一压控振荡器的所述第一输出端和所述第二输出端或者所述第二压控振荡器的所述第一输出端和所述第二输出端。
地址 美国加利福尼亚