发明名称 SILICON OXYNITRIDE FILM AND METHOD FOR FORMING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>수소 및 유리 불소를 포함하지 않고, 막 특성이 좋은 절연성 막을 제공한다.실리콘산화질화막은 실리콘, 질소, 산소 및 불소를 포함하여 이루어지며, 실리콘 Si에 대한 질소 N, 산소 O 및 불소 F의 합계(N+O+F)의 원소비율(N+O+F)/Si 이 1.93~1.48의 범위에 있으며, 해당 막중의 실리콘의 원소비율이 0.34~0.41, 질소의 원소비율이 0.10~0.22, 산소의 원소비율이 0.14~0.38 및 불소의 원소비율이 0.17~0.24의 범위에 있다. 이 막은 예를 들면 원료가스로서 4불화실리콘가스, 질소가스 및 산소가스를 사용하며, 유도결합에 의해 플라즈마를 생성하는 유도결합형의 플라즈마 CVD법에 따라 기판 상에 형성할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101475899(B1) 申请公布日期 2014.12.24
申请号 KR20137003191 申请日期 2010.12.08
申请人 发明人
分类号 H01L21/318;H01L21/336;H01L29/786 主分类号 H01L21/318
代理机构 代理人
主权项
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