一种硅纳米阵列基底及其制备方法、应用

摘要

本发明属于表面增强拉曼光谱领域，涉及一种表面增强拉曼金属修饰硅纳米阵列基底及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：步骤1）：基底为Si，分别用去离子水，无水乙醇，丙酮对基底进行超声处理，吹干；使用匀胶机在Si基底上旋涂一层光刻胶；然后在烘烤机上烘烤；步骤2）：把Si基片全曝光；步骤3）：把步骤2的Si基底进行显影；再用超纯水清洗Si，吹干后表面留有一层光刻胶的Si基底；步骤4）：把步骤3所得的表面有光刻胶的Si基底放入反应离子刻蚀机内进行刻蚀，然后取出用丙酮超声处理去掉残留的光刻胶，清洗处理，干燥，制得锥状Si阵列；步骤5）：在步骤4制得的锥状Si阵列上分别沉积Ag单层薄膜或Ag和Au的双层薄膜。

主权项

一种表面增强拉曼金属修饰硅纳米阵列基底的制备方法，其特征在于所述的制备方法包括以下步骤：步骤1）：基底为4英寸的Si基底，分别用去离子水，无水乙醇，丙酮对基底进行超声处理，用氮气枪将其吹干；使用匀胶机在Si基底上旋涂一层1µm 的光刻胶，匀胶机的转速为：2500rpm，时间30s；然后在烘烤机上用100℃烘烤3min；步骤2）：把涂完光刻胶的Si基片放在远紫外光无模板的情况下全曝光1.5s；步骤3）： 把步骤2得到的曝光完的表面有光刻胶的Si基底进行显影，使用的显影液为AR302和水的混合溶液，显影时间为10s；再用超纯水清洗Si，清洗3次，再用氮气枪吹干后表面留有一层光刻胶的Si基底；这层光刻胶为RIE的软模板；步骤4）：把步骤3所得的表面有光刻胶的Si基底放入反应离子刻蚀机内进行刻蚀，刻蚀时间为3分钟，然后取出用丙酮超声处理去掉残留的光刻胶，最后在超纯水里清洗处理，再用氮气枪下干燥，制得高度有序的锥状Si阵列；步骤5）：用电子束物理气相沉积的方法在步骤4制得的锥状Si阵列上沉积Ag单层薄膜或Ag和Au的双层薄膜。