具有高电子迁移率晶体管和单片集成半导体二极管的高压级联二极管

摘要

本发明提供了包括HEMT和Si肖特基二极管的、具有超过300V的击穿电压的级联二极管的一个实施例。HEMT包括栅极、漏极、源极和二维电子气沟道区，该二维电子气沟道区连接源极和漏极并且由栅极控制。HEMT具有超过300V的击穿电压。Si肖特基二极管与HEMT单片集成。Si肖特基二极管包括连接至HEMT的源极的阴极、以及连接至HEMT的栅极的阳极。Si肖特基二极管具有低于300V的击穿电压和低于或等于0.4V的正向电压。Si肖特基二极管的阳极形成级联二极管的阳极，HEMT的漏极形成级联二极管的阴极。

主权项

一种级联二极管，包括：III族氮化物半导体本体；具有栅极、漏极、源极以及连接所述源极和所述漏极的沟道的HEMT，所述沟道由所述栅极控制并且由在所述III族氮化物半导体本体的具有不同带隙的两种材料之间的结形成；以及与所述HEMT单片集成的半导体二极管，所述半导体二极管具有连接至所述HEMT的所述源极的阴极以及连接至所述HEMT的所述栅极的阳极，其中，所述半导体二极管的所述阳极形成所述级联二极管的阳极，而所述HEMT的所述漏极形成所述级联二极管的阴极。