发明名称 一种半导体激光器
摘要 本发明涉及一种半导体激光器,包括基板,所述基板上方设置有阴极,所述阴极两端分别设置有绝缘体,所述绝缘体上设置有栅极,所述栅极之间,阴极上方中心设置有发射极,所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥,所述发射极上方设置有磷光层,所述磷光层上方设置有玻璃板,所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。本发明结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。
申请公布号 CN104242049A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410532984.8 申请日期 2014.09.30
申请人 聂成 发明人 聂成
分类号 H01S5/04(2006.01)I 主分类号 H01S5/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种半导体激光器,其特征在于,包括基板,所述基板上方设置有阴极,所述阴极两端分别设置有绝缘体,所述绝缘体上设置有栅极,所述栅极之间,阴极上方中心设置有发射极,所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥,所述发射极上方设置有磷光层,所述磷光层上方设置有玻璃板,所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。
地址 402368 重庆市大足县龙岗街道北街西巷2号2单元2-2