发明名称 |
一种半导体激光器 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体激光器,包括基板,所述基板上方设置有阴极,所述阴极两端分别设置有绝缘体,所述绝缘体上设置有栅极,所述栅极之间,阴极上方中心设置有发射极,所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥,所述发射极上方设置有磷光层,所述磷光层上方设置有玻璃板,所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。本发明结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。 |
申请公布号 |
CN104242049A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410532984.8 |
申请日期 |
2014.09.30 |
申请人 |
聂成 |
发明人 |
聂成 |
分类号 |
H01S5/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种半导体激光器,其特征在于,包括基板,所述基板上方设置有阴极,所述阴极两端分别设置有绝缘体,所述绝缘体上设置有栅极,所述栅极之间,阴极上方中心设置有发射极,所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥,所述发射极上方设置有磷光层,所述磷光层上方设置有玻璃板,所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。 |
地址 |
402368 重庆市大足县龙岗街道北街西巷2号2单元2-2 |