| 发明名称 | 用于嵌入式SiGe改良的鳍型场效晶体管间隔物蚀刻 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于嵌入式SiGe改良的鳍型场效晶体管间隔物蚀刻，提供一种通过在传统间隔物ME步骤之后直接地插入硅凹陷步骤的蚀刻鳍型场效晶体管(FinFET)间隔物的方法，并提供由此获得的装置。实施例包含形成栅极在具有硅鳍片的衬底上，该栅极具有氮化物帽盖在其上表面以及氧化物帽盖在该氮化物帽盖的上表面；形成介电层在该硅鳍片和该栅极上面；从该氧化物帽盖的上表面和该硅鳍片的上表面移除该介电层；使该硅鳍片凹陷；以及从该硅鳍片的侧表面和残余的该硅鳍片移除该介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN104241136A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410261615.X | 申请日期 | 2014.06.12 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 宇宏;亚安·海克索;柯哈纳·布尼特 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成栅极在具有硅鳍片的衬底上，该栅极具有氮化物帽盖在其上表面以及氧化物帽盖在该氮化物帽盖的上表面；形成介电层在该硅鳍片和该栅极上面；从该氧化物帽盖的上表面和该硅鳍片的上表面移除该介电层；使该硅鳍片凹陷；以及从该硅鳍片的侧表面和残余的该硅鳍片移除该介电层。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||