发明名称 一种磁化磁路结构
摘要 一种磁化磁路结构,包含面对面成对设置的第一磁极和第二磁极、分别连接第一磁极和第二磁极的磁轭、以及套设在磁轭上的励磁线圈,第一磁极和第二磁极之间形成气隙,第一磁极和第二磁极的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小。当励磁线圈通入电流时,电流产生的磁场沿第一磁极、磁轭、气隙和第二磁极形成磁路,由于第一磁极和第二磁极的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小,磁场由磁轭到气隙逐渐集中,因而使气隙处的磁场增加,能在不增加励磁电流的情况下提高在磁极之间的气隙处的磁场强度,可防止磁极处磁场发散。
申请公布号 CN104240895A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410514735.6 申请日期 2014.09.30
申请人 上海岩川电磁科技有限公司 发明人 周继生
分类号 H01F13/00(2006.01)I;H01F7/00(2006.01)I 主分类号 H01F13/00(2006.01)I
代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人 张妍;张静洁
主权项 一种磁化磁路结构,其特征在于,该磁化磁路结构包含:面对面成对设置的第一磁极(1)和第二磁极(2),该第一磁极(1)和第二磁极(2)组成磁极对;磁轭(4),其分别连接第一磁极(1)和第二磁极(2),该磁轭呈“匚”型,或“C”型;励磁线圈(3),其套设在磁轭(4)上,该励磁线圈(3)连接外部电流源;所述的第一磁极(1)和第二磁极(2)之间形成气隙(5),该气隙(5)的位置用于放置待磁化材料;当励磁线圈(3)通入电流时,电流产生的磁场沿第一磁极(1)、磁轭(4)、气隙(5)和第二磁极(2)形成磁路;在所述第一磁极(1)和第二磁极(2)组成的磁极对中,第一磁极(1)和第二磁极(2)中的任意一个是变截面结构,或者第一磁极(1)和第二磁极(2)都是变截面结构,所述变截面结构的横截面由磁轭处向气隙处逐渐减小。
地址 200336 上海市长宁区仙霞路350号3幢5809号