发明名称 单转双占空比可调电路
摘要 本发明涉及单转双占空比可调电路,它包括第一差分对管M1、第二差分对管M2和一个倒比例管M3,第一差分对管M1的栅极连接输入信号,漏极通过隔直电容C1连接第二差分对管M2的栅极,第二差分对管M2的漏极和第一差分对管M1的漏极为差分输出端,第一差分对管M1的源极和第二差分对管M2的源极均连接电流源;倒比例管M3的栅极连接电源电压,漏极与第二差分对管M2的栅极相连,倒比例管M3的源极与由R1、R2组成的分压电路的中点相连。本发明仅通过单转双电路,便可同时实现差分输出及占空比的调节,结构简单;通过设置R1和R2的值,可调整输出波形的占空比为50%。
申请公布号 CN104242875A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201310243739.0 申请日期 2013.06.19
申请人 成都国腾电子技术股份有限公司 发明人 陶健;邵志刚
分类号 H03K3/017(2006.01)I 主分类号 H03K3/017(2006.01)I
代理机构 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人 袁英
主权项 单转双占空比可调电路,其特征在于:它包括第一差分对管M1、第二差分对管M2和一个倒比例管M3,第一差分对管M1的栅极连接输入信号,第一差分对管M1的漏极通过隔直电容连接第二差分对管M2的栅极,第二差分对管M2的漏极和第一差分对管M1的漏极为差分输出端,第一差分对管M1的源极和第二差分对管M2的源极均连接电流源;倒比例管M3的栅极连接电源电压,倒比例管M3的漏极与第二差分对管M2的栅极相连,倒比例管M3的源极与由R1、R2组成的分压电路的中点相连。
地址 610041 四川省成都市高新区高朋大道1号