发明名称 |
一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法,该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层、石墨烯层和正面电极,其中石墨烯为1~10层。其制造包括:在砷化镓片一面制作背面电极;然后进行表面化学清洗并干燥;将石墨烯转移至砷化镓片的另一个面上;再在石墨烯上制作正面电极。本发明的石墨烯/砷化镓太阳电池利用石墨烯材料的高载流子迁移率、高透光性及高导电性,结合砷化镓优异的半导体性质,有利于在低成本及简单工艺的基础上制造高转化效率的太阳电池。 |
申请公布号 |
CN104241415A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410456736.X |
申请日期 |
2014.09.10 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
林时胜;李晓强 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/07(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
一种石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于自下而上依次有背面电极(1)、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层(2)、石墨烯层(3)和正面电极(4),其中石墨烯层(3)的石墨烯为1~10层。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |