发明名称 一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法
摘要 本发明涉及一种石墨烯/砷化镓太阳电池及其制造方法,该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层、石墨烯层和正面电极,其中石墨烯为1~10层。其制造包括:在砷化镓片一面制作背面电极;然后进行表面化学清洗并干燥;将石墨烯转移至砷化镓片的另一个面上;再在石墨烯上制作正面电极。本发明的石墨烯/砷化镓太阳电池利用石墨烯材料的高载流子迁移率、高透光性及高导电性,结合砷化镓优异的半导体性质,有利于在低成本及简单工艺的基础上制造高转化效率的太阳电池。
申请公布号 CN104241415A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410456736.X 申请日期 2014.09.10
申请人 浙江大学 发明人 林时胜;李晓强
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/07(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 韩介梅
主权项 一种石墨烯/砷化镓太阳电池,其特征在于自下而上依次有背面电极(1)、n型掺杂或p型掺杂的砷化镓层(2)、石墨烯层(3)和正面电极(4),其中石墨烯层(3)的石墨烯为1~10层。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号