双绝缘层有机薄膜晶体管

摘要

一种双绝缘层有机薄膜晶体管，包括最底层的n型硅基片层，n型硅基片层上热生长一层二氧化硅薄膜层，二氧化硅薄膜层上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯层，聚甲基丙烯酸甲酯层上真空蒸发沉积一层酞菁铜层，酞菁铜层上方蒸发沉积一层金电极层，其中二氧化硅薄膜层的厚度为200-220nm，聚甲基丙烯酸甲酯层的厚度为40-50nm，酞菁铜层的厚度为30-40nm，金电极层包括源极和漏极，沟道长度为0.03-0.04mm，沟道宽度为4-7mm。采用上述技术方案，器件载流子迁移率高，漏电电流小，阈值电压较高，整个器件的性能得到较大改善。

主权项

一种双绝缘层有机薄膜晶体管，包括最底层的n型硅基片层(1)，其特征是n型硅基片层(1)上热生长一层二氧化硅薄膜层(2)，二氧化硅薄膜层(2)上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯层(3)，聚甲基丙烯酸甲酯层(3)上真空蒸发沉积一层酞菁铜层(4)，酞菁铜层(5)上方蒸发沉积一层金电极层，其中二氧化硅薄膜层(2)的厚度为200‑220nm，聚甲基丙烯酸甲酯层(3)的厚度为40‑50nm，酞菁铜层(4)的厚度为30‑40nm，金电极层包括源极(5)和漏极(6)，沟道长度为0.03‑0.04mm，沟道宽度为4‑7mm。